透明導(dǎo)電薄膜是許多光電子器件的重要組成部分。目前銦錫氧化物(ITO)由于它的高電導(dǎo)率和透光率，已經(jīng)成為透明導(dǎo)電薄膜的主要材料。但I(xiàn)TO也存在著一些缺點(diǎn):一方面制備費(fèi)用昂貴;另一方面一旦其導(dǎo)電性能會(huì)大幅下降。因而開(kāi)發(fā)可替代ITO的新材料成為極為重要的研究課題。 目前，有望替代ITO的透明導(dǎo)電材料有摻雜Zn0、碳納米管、石墨烯、金屬柵和金屬納米線等。其中金屬納米線中的銅納米線由于具有良好的電學(xué)、力學(xué)和化學(xué)性能，可滿(mǎn)足未來(lái)光電器件對(duì)材料的要求。同時(shí)銅納米線價(jià)格低廉與豐富的儲(chǔ)存量，使得對(duì)銅納米線的研究也同樣具有重要意義，因此被視為最具潛力的柔性透明電極材料之一。此外由于銅納米線的大長(zhǎng)徑比效應(yīng)，使其在導(dǎo)電膠、導(dǎo)熱膠等方面的應(yīng)用中也具有突出的優(yōu)勢(shì)。

SZ-005-1銅納米線-產(chǎn)品說(shuō)明書(shū).pdf

SZ-005-2較長(zhǎng)銅納米線-產(chǎn)品說(shuō)明書(shū).pdf

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