應(yīng)用領(lǐng)域:高遷移率晶體管、邏輯電路、導(dǎo)電薄膜、場發(fā)射源、紅外發(fā)射器、傳感器、掃描探針針尖、機(jī)械強(qiáng)度增強(qiáng)、太陽能電池和催化劑載體等。
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應(yīng)用領(lǐng)域:高遷移率晶體管、邏輯電路、導(dǎo)電薄膜、場發(fā)射源、紅外發(fā)射器、傳感器、掃描探針針尖、機(jī)械強(qiáng)度增強(qiáng)、太陽能電池和催化劑載體等。
應(yīng)用領(lǐng)域:高遷移率晶體管、邏輯電路、導(dǎo)電薄膜、場發(fā)射源、紅外發(fā)射器、傳感器、掃描探針針尖、機(jī)械強(qiáng)度增強(qiáng)、太陽能電池和催化劑載體等。
單壁碳納米管(SWCNT)典型的直徑和長度分別為0.75-3nm和1-50um,全部由碳原子構(gòu)成,幾何結(jié)構(gòu)可以視為由單層石墨烯卷曲而成,結(jié)構(gòu)決定性質(zhì),因此單壁碳納米管具有優(yōu)異的電子、機(jī)械、力學(xué)等性能。同時其原子尺度的變化即可導(dǎo)致單壁碳納米管性質(zhì)的變化,因此在諸多領(lǐng)域有潛在應(yīng)用。尤其是對電子和空穴都具有超高的遷移率,因此,國際半導(dǎo)體路線圖委員會2009年確定其為未來最有可能應(yīng)用的新型器件材料。
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